法国Annealsys MOCVD设备 型号MC200
200mm MOCVD研发设备。
应用：在硅基片，玻璃，太阳能电池多晶硅，化合物半导体基片上长金属和合金，过渡金属元素氮化物，碳纳米管，纳米线等膜层
设备优越的性能
•兼容宽范围源
=>多用途适用于研究和开发应用
•液体传送和蒸发系统技术发展水平
=>适用于蒸发宽范围化学源
••无喷头
=> 可使用热不稳定源
=>喷头内无堵塞风险，高沉淀均匀性
•工艺气体进口与源进口隔离
=>基片沉淀区域外无反应，无堵塞
•便于拆卸，清洗和安装反应器
=>便于一种金属到另一种金属的转换，便于维护，低COO
•液体面板满提升性能
=>无交叉污染，无需拆除液体管路
设备特性
•不锈钢热控制腔室技术*
•旋转加热基片托，***高至850°C
•基片托垂直运动
•大气或进样室装载
•***多4个源或源混合
•蒸发器反应器支路
•热电偶的控制器通过温度控制器的PID实现
•真空和压力控制
•配有针阀的吹扫气路
•配有数字MFC，***多6条工艺气路
•以太网PC控制