法国Annealsys As-One快速热处理RTP系统
冷腔室壁快速热处理炉
可处理4-inch(100 mm) 和 6-inch (150 mm) 版本
应用
RTA (快速热退火)
RTO (快速热氧化)
扩散, 接触式退火
化合物半导体退火
氮化, 硅化, 硒化, 硫化
结晶化及致密化
基本参数
可处理4-inch 和 6-inch 硅片
落地设计,占地面积小
高可靠性,低拥有成本
不锈钢冷腔室壁技术:
高工艺复现性
超洁净及无污染环境.
高冷却速率,低记忆效应
可提供高真空版本 (10-6 mbar)
高温计和热电偶控制
快速数字PID温度控制器
边缘高温计视口,确保用于化合物半导体和小型样品
基片托的温度控制.
性能 & 特点
温度范围: 室温 至 1500°C
升温速率达 200°C/s
特殊配置下冷却速率达 100°C/s
带质量流量控制器的气体混合性能
真空范围: 常压 至 10-6 Torr