法国MPA CVD 化学气相沉积设备

MPA Industrie ***致力于镀膜或渗透用CVD化学气相沉积设备的研发与生产
 
MPA研发生产的CVD设备可在真空至常压下工作，温度范围为500 to 2200°C。反应器可用区域直径在100 mm 及 3000 mm之间。
 
MPA industrie 已设计1,5 inch 至 7 inch硫化床，用于高温碳应用。多数CVD应用下设备可在10-2 mbar 至 数百个mbar的真空下操作。此技术下设备生长得膜层质量(密度,均匀性)较好，且消耗气体少。
 
传的统CVD在较高温度下，借助气相化学反应沉积薄膜。为满足不同应用对温度要求的需要，可通过等离子***法进***相沉积，等离子化学气相沉积法可用不同工艺实现。
 
   直流或脉冲电流等离子体 (RTA)
   无线电频率等离子体 (RTA)
   微波等离子体 (RTA)
 
化学气相渗透是通过如碳或碳化硅/碳复合物沉积陶瓷基复合材料的***技术。使用陶瓷材料渗透纤维基底(碳化纤维)或泡沫碳。